” Negative-Bias Temperature Instability (NBTI)“ 的搜索结果

     NBTI最终表现为PMOS导通时间延长,从而增加CMOS电路的传播时延。当累积到一定程度时,进而造成时序违规。将输入调成三角波可以更明显的观察到Vt变化带来的输出变化。通过波形图可以看到Vt升高后输出信号发生变化,...

     NBTI(Negative Bias Temperature Instability)是指在负偏压下,晶体管的电流-电压特性随时间的变化。当晶体管处于负偏压状态时,电子从价带穿越禁带进入导带,形成电流。在这个过程中,电子与晶格中的原子发生碰撞...

     低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI特性,萨宁,杨红,本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的n-FETs和p-FETs,内含原生缺陷密度较低,分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压-温度...

     为了能够准确地预测器件的寿命,研究了PMOSFET中的动态负偏压温度不稳定性效应(NBTI)模型。在静态NBTI效应模型及反应一扩散模型(R-D)的基础上,推导出动态NBTI应力下界面陷阱电荷模型,其与占空比成指数关系。...

8   
7  
6  
5  
4  
3  
2  
1